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电子束光刻系统

简要描述:v最小线宽≤8nm光栅周期≤40nmv拼接精度:100μm写场下

基础信息

产品型号

厂商性质

代理商

更新时间

2024-10-22

浏览次数

53
详细介绍

v 最小线宽8nm    光栅周期40nm

v 拼接精度:

100μm写场下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

500μm写场下,拼接精度≤30nmmean+3sigma

v 套刻精度:

100μm写场下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

500μm写场下,拼接精度≤25nmmean+3sigma

v 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8h

v 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调

v 肖特基热场发射电子束源,加速电压50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,束电流40nA

v 图像发生器扫描频率50MHz20bit分辨率,最小步距为0.5nm

v 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架


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