产品型号
厂商性质
更新时间
浏览次数
产品分类
PRODUCT CLASSIFICATION相关文章
RELATED ARTICLESv 最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm
v 拼接精度:
100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigma
v 套刻精度:
100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigma
v 束电流稳定性<0.2%/h 束位置稳定性<120nm/8h
v 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调
v 肖特基热场发射电子束源,加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,束电流≥40nA
v 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nm
v 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
下一篇纳米压印系统