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CIF推出RIE反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括:
u 介电材料(SiO2、SiNx等)
u 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
u III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
u 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
u 类金刚石(DLC)
二、产品特点
u 7寸彩色触摸屏互动操作界面,图形化用户操作界面显示,自动监测工艺参数状态,20个配方程序,可存储、输出、追溯工艺数据,机器运行、停止提示。
u PLC工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。
u 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。
u 采用防腐数字流量计,实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
u 采用花洒式多孔进气方式,改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。
u HEPA高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。
u 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。
u 采用顶置真空仓,上开盖设计,下压式铰链开关方式。
u 上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。
u 有效处理面积大,可处理直径200mm晶元硅片。
u 安全保护,仓门打开,自动关闭电源。
三、技术参数
型号 | RIE200 | RIE200plus |
舱体内尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
舱体容积 | 2L | 2L |
射频电源 | 40KHz | 13.56MHz |
电极 | 不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm | 不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm |
匹配器 | 自动匹配 | 自动匹配 |
刻蚀方式 | RIE | RIE |
射频功率 | 10-300W可调(可选10-1000W) | 10-300W可调(可选10-600W) |
气体控制 | 质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调) | |
工艺气体 | Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等(可选) | |
处理尺寸 | ≤Φ200mm | |
时间设定 | 1-99分59秒 | |
真空泵 | 抽速约8m3/h | |
气体稳定时间 | 1分钟 | |
极限真空 | ≤1Pa | |
电源 | AC220V 50-60Hz,所有配线符合《低压配电设计规范GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 |
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