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等离子增强化学气相沉积PECVD

简要描述:v应用方向:高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

基础信息

产品型号

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更新时间

2024-10-22

浏览次数

58
详细介绍

v 应用方向:高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途;用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

v 电阻丝加热电极,温度可达400°C1200°C

v 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺

v 晶圆可达200mm,可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

v 高导通的径向(轴对称)抽气结构:确保提升了工艺均匀性和速率

v 增加了<500毫秒的数据记录功能:可追溯腔室和工艺条件的历史记录

v 通过前端软件进行设备故障诊断,故障诊断速度快

v 用干涉法进行激光终点监测:在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

v 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测:监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测


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