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化学气相沉积MOCVD

简要描述:vMOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式

基础信息

产品型号

厂商性质

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更新时间

2024-10-22

浏览次数

48
详细介绍

v MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料

v 应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

v 从研发到大规模生产

v 衬底尺寸:3x2 inch1x4 inch1x3 inch1x2 inch

通过载波交换实现:6 x 2 inch3 x 3 inch1 x 6 inch

v Ga2O3薄膜生长速率:>3um/h

v Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范围由AFMGa2O3衬底上测量 ≤1.0 nm

v 加热系统:采用钨丝加热,三温区控制,温度至1400

v 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调(范围覆盖5 mm25 mm

v 工艺过程中,具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能

v 搭载温度监测系统,可实时扫描晶圆温度mapping

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