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v 应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等
v 从研发到大规模生产
v 衬底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch
通过载波交换实现:6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch
v Ga2O3薄膜生长速率:>3um/h
v Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm
v 加热系统:采用钨丝加热,三温区控制,温度至1400℃
v 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调(范围覆盖5 mm至25 mm)
v 工艺过程中,具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能
v 搭载温度监测系统,可实时扫描晶圆温度mapping图
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