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离子注入机

简要描述:v单价离子加速能量≥200keV

基础信息

产品型号

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更新时间

2024-10-22

浏览次数

80
详细介绍

v 单价离子加速能量200keV,并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围

v 可用于23468英寸晶圆以及不规则碎片

v 可注入BPAsAlSHMgSi离子

v 注入剂量精准度1.5%

v 离子注入剂量范围:1×1011 at/cm21×1016 at/cm2

v 离子源部分:离子源、离子源气体系统和离子源引出系统

v 离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer,温度达700℃,实现固态源的离子注入

v 离子注入倾斜角度在

v 室温台:;高温台:

v 束流调整系统主要包括:质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器

v 真空系统主要包括:Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元

v 真空度:

Ion Source真空度:≤7×10-4Pa

Beam Line真空度:≤7×10-5Pa

End Station真空度:≤7×10-5Pa

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