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化学机械抛光机CMP

简要描述:v该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光

基础信息

产品型号

厂商性质

代理商

更新时间

2024-10-22

浏览次数

86
详细介绍

v 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STISOI等产品的CMP平坦化抛光 通过更换抛光头可兼容468英寸晶圆

v 系统功能:手动上下片,程序自动进行抛光,配有终点监测装置,配置半自动loading & unloading托盘系统,8寸规格,方便8寸晶圆上下片

v 抛光数据监测:具有摩擦力监测功能

v 配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度

v 抛光盘直径20inch(508mm) 转速范围:30-200rpm

v 抛光头wafer加压方式:气囊加压,带有背压功能

v wafer压力控制范围:70-500g/cm2

v 保持环压力控制范围:70-700g/cm2

v 抛光头转速范围:30-200rpm 摆动幅度:±10mm

v 抛光液供应系统:3个可调流量蠕动泵供液,3路独立的抛光液通道,滴液位置可调

v 配置摩擦力&温度终点监控系统:含专用监测软件,带有End point detection功能

v 控制系统:PC工控机控制,触摸屏操作,可存储20个加工程序,加工程序最多可设6个不同加工阶段

v 均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片内非均匀性WIWNU≤5%

片间非均匀性WTWNU≤5%


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