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分子束外延薄膜沉积系统MBE

简要描述:v分子束外延,是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中,将喷射炉加热

基础信息

产品型号

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更新时间

2024-10-22

浏览次数

68
详细介绍

v 分子束外延,是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中,将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束,从炉中喷出后,沉积在温度保持在几的单晶基片上。如果设置几个喷射炉,就可以制取多元半导体混晶,又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长,进行沉积系统中结晶生长过程的研究

v 12个源炉:镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等

v 衬底:4inch

v 温度:1000°C 温度均匀性:≤±3°C4inch

v 超高真空下全自动样品转移

v 用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能

v 一个集群上最多7个超高真空功能单元:装载、储存、翻转、处理、排气、生长,外部腔室

v 可连接其他分析设备或其他:ALDPLDPVD、金属化、STM......

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