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v 12个源炉:镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等
v 衬底:4inch
v 温度:1000°C 温度均匀性:≤±3°C(4inch)
v 超高真空下全自动样品转移
v 用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能
v 一个集群上最多7个超高真空功能单元:装载、储存、翻转、处理、排气、生长,外部腔室
v 可连接其他分析设备或其他:ALD、PLD、PVD、金属化、STM......
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