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电感耦合等离子体刻蚀ICP

简要描述:v兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

基础信息

产品型号

厂商性质

代理商

更新时间

2024-10-22

浏览次数

95
详细介绍

v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

v 电极的适用温度范围宽,-150°C400°C

v ICP源尺寸为65mm180mm300mm

v 应用方向:

Ø III-V族材料的刻蚀工艺

Ø 固体激光器InP刻蚀

Ø VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

Ø 射频器件低损伤GaN刻蚀

Ø Bosch和超低温刻蚀工艺

Ø 类金刚石(DLC)沉积

Ø 二氧化硅和石英刻蚀

Ø 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆

Ø 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途

Ø 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀


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