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Plasma Process Cluster 多腔等离子体工艺系统

简要描述:l方案是适用于8吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统l系统可用于研发和小批量生产l系统兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圆和不规则碎片

基础信息

产品型号

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更新时间

2024-10-22

浏览次数

42
详细介绍

l   方案是适用于 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统

l   系统可用于研发和小批量生产

l   系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片;不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

l   系统包括:

一个六端口的转接腔、带机械手

六个端口分别连接:

1)一个 ALE 刻蚀腔模块:用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子层刻蚀

2)一个ICPECVD 沉积腔模块:用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质膜

3)一个低温 ICP-RIE 刻蚀腔模块:配氟基气体,主要用于低温深硅刻蚀、常温锗刻蚀等

4)一个 loadlock 预真空室模块:用于单片样品的手动送样

5)一个真空片盒站模块:用于多片片盒的自动送样

6)一个端口备用,未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块


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